No mês passado, a Samsung Electronics anunciou a criação de um módulo de memória DDR5 de 512 GB, o primeiro desde que o consórcio JEDEC desenvolveu e lançou o padrão DDR5 em julho do ano passado.
Os novos módulos têm o dobro da capacidade máxima da DDR4 existente e oferecem uma taxa de transferência de dados de até 7.200 Mbps, o dobro da DDR4 convencional. A memória será capaz de lidar com cargas de trabalho de alta largura de banda em aplicativos como supercomputação, inteligência artificial, aprendizado de máquina e análise de dados, diz a empresa.
A Samsung também mudou para a tecnologia de processo High-K Metal Gate (HKMG) para a camada de isolamento, em vez do tradicional oxinitreto de silício. A Intel adotou essa tecnologia para sua geração Penryn de CPUs em 2008. Ela permite o encolhimento do transistor e, ao mesmo tempo, reduz o vazamento de corrente elétrica, reduzindo assim o calor.
